KỸ THUẬT ETCHING

 

ETCHING MEN RĂNG VÀ ETCHING NGÀ RĂNG

Men răng được cấu trúc từ các tinh thể hydroxyapatite, khác với ngà răng được cấu tạo từ hydroxyapatite và mạng lưới sợi collagen. Men răng có lực liên phân tử mạnh và bề mặt có năng lượng cao. Trong khi đó, ngà răng có lực liên phân tử yếu và bề mặt có mức năng lượng thấp nên yêu cầu etching hai bề mặt này khác nhau mới có thể đạt hiệu quả.

Hơn nữa, thành phần của ngà răng thay đổi theo độ sâu, từ bề mặt đến lớp ngà sâu hơn bên dưới. Khác với men răng, trên bề mặt ngà răng có lớp mùn ngà, chứa thành phần hữu cơ và dịch ngà từ tủy răng hướng ra. Mật độ ống ngà tăng lên khi đi sâu vào lớp ngà, đồng thời thành phần nước cũng nhiều hơn. Khả năng xâm nhập của keo dán vào bên trong các ống ngà để tạo ra liên kết dán vật liệu phục hồi. Khi ngà răng bị sâu, ngà có khuynh hướng khoáng hóa và giảm tính thẩm thấu. Ngoài ra, ngà răng cũng dày lên và giảm tính thẩm thấu khi tuổi tác tăng lên, thậm chí khi ngà răng khỏe mạnh.

Vì hai loại cấu trúc mô cứng này của răng khác nhau nên etching trên men răng và ngà răng có nhiệm vụ khác nhau và bề mặt cần dán sẽ quyết định quy trình etching khác nhau. Khi etching men răng, bạn sẽ tạo ra bề mặt nhám để đạt cơ chế vi lưu cơ học cho lớp keo dán. Trong trường hợp này, chúng ta cần hoạt chất đủ tính acid để hòa tan một phần thành phần khoáng chất của men răng. Acid phosphoric đủ khả năng etching men răng. Một số loại keo dán/primer self-etch cũng có thể tạo kết cấu bề mặt trên men răng. Tuy nhiên, một vài loại keo dán adhesive không đủ tính acid để etching trên men răng. Khi đó, cần sử dụng acid phosphoric để etching riêng trên men răng trước.

Quá trình etching trên ngà răng thì acid phosphoric có tác dụng khử khoáng một phần và bộc lộ collagen. Khi đó, keo dán có thể xâm nhập vào mạng lưới collagen bộc lộ và hình thành lớp lai. Lớp lai này có thể dày vài micron và cho phép hình thành liên kết chắc chắn với ngà răng. Các loại keo dán self-etch cũng có thể khử khoáng một phần khoáng chất trên ngà răng, tuy nhiên, không đạt được mức độ như acid phosphoric và không loại bỏ lớp mùn ngà. Keo dán universal cũng chính là một dòng keo dán self-etch. Các loại monomer trong keo dán universal có khả năng kết nối với Calcium trong thành phần của ngà răng, cho nên mặc dù lớp lai có độ dày thấp hơn so với khi etching bằng acid phosphoric, vào khoảng 0,5 micron, nên keo dán universal có thể tạo thành cơ chế lưu hóa học với thành phần khoáng chất trong ngà răng.

Một khía cạnh cần cân nhắc khi etching trên ngà răng là etching quá mức. Khi quá nhiều collagen bị bộc lộ thì keo dán lại không thể thấm hoàn toàn vào collagen. Collagen bộc lộ có thể bị thủy phân hoặc phân hủy bởi enzyme. Đồng thời, etching quá mức có nguy cơ dẫn đến nhạy cảm ngà sau khi thực hiện. Do đó, etching tự giới hạn sẽ có lợi hơn vì hạn chế được tình trạng etching quá mức này.